美国的一位油管 up 主 @Doctre81 近日上传了一则视频，视频的标题是“任天堂 Switch 2 将使用三星第五代 V-NAND 技术？”
这位叫做 Doctre81 的老哥，在视频中表示，他发现了一位前三星电子设备解决方案部门高级总监的领英（LinkedIn）页面，其中包含了关于任天堂游戏卡相关的爆料。
该领英页面的截图，列出了这位前总监的主要资历和职责，下图高亮区域为领导开发了一款用于未指定任天堂游戏卡带的 NAND 内存设备。
在页面下方，这位前三星员工还提到了三星第 5 代 V-NAND 闪存驱动的安全 eMMC 卡开发经历，与上述任天堂游戏 NAND 内存设备可以匹配起来。
如果这位老哥爆料属实，任天堂真的采用三星第 5 代 V-NAND 作为 Switch 2 的内存，那 Switch 2 的内存读取速度将会有巨大的提升。
按照行业公认标准，三星的第 5 代 V-NAND 读取速度为 1.4 GB/s，而目前 Switch 的内存速度仅为 140 MB/s。按爆料升级到新内存后，下一代 Switch 2 内存的性能将暴涨 10 倍。
但其实，用今天的标准来看，三星第 5 代 V-NAND 已经是有些过时的技术了。
三星目前正在开发第 9 代和第 10 代 V-NAND，其中第 9 代 V-NAND的读取速度为 3.2 GB/s，第 10 代 V-NAND 计划于 2025 年发布。
不过，第 5 代产品高达 1.4 GB/s 的速度，对于任天堂的游戏来说，应该是绰绰有余了，至少相比目前的 Switch 有了巨大的提升。
众所周知，游戏的内存读取速度，将会对游戏体验产生很大的影响，比如在玩很多大型 3A 游戏时，如果内存速度够快，那读条、黑屏等待时间都会缩短。
以索尼 PS5 为例，PS5 的内存速度大概在 5.5 GB/s，所以在玩 3A 游戏时能有非常好的体验。
任天堂的游戏对性能要求不高，如果真的能达到 1.4 GB/s 的速度，那 Switch 2 跑个高画质高流程的《GTA 5》或者《荒野大镖客2》应该是没问题的。
至于《GTA 6》？Switch 2 还是悬。
最后，在显卡方面，目前比较主流的猜测是，Switch 2 将继续采用英伟达的技术，使用英伟达的 T239 芯片，新主机将支持英伟达 DLSS 技术和光线重构等功能。
今年，任天堂的第一方游戏已经全面哑火了，各路 Switch 模拟器的崛起，也让任天堂主机和游戏的销量直线下降。
如果 Switch 2 再不出，2025 年恐怕任天堂要不好过了。
